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本土12英寸晶圓代工廠華力具有40nm邏輯工藝和55nm高壓工藝能力

發(fā)布時間:2013-07-09 來源:《電子元件技術網》 責任編輯:eliane

【導讀】由上海聯(lián)和投資有限公司、上海華虹(集團)有限公司、上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體制造有限公司聯(lián)合投資成立的中國第一座12英寸晶圓代工廠上海華力微電子已經具有55nm邏輯工藝、40nm邏輯工藝和支持高達32V應用的55nm高壓工藝能力,設計月產能為3.5萬,IP庫合作伙伴有VeriSilicon、ememory和Synopsys。

上海華力微電子是中國“909”工程的升級改造---12英寸集成電路芯片生產線項目的建設和運營單位,由上海聯(lián)和投資有限公司、華虹集團、華虹NEC和上海宏力于2010年初聯(lián)合投資成立,總投入資金145億人民幣。

華力微電子一覽
圖1:華力微電子一覽

目前華力微電子擁有的工藝技術包括65/55nm、45/40nm CMOS邏輯工藝、55nm高壓工藝和特殊應用工藝,計劃為國內外IC設計公司、整合組件公司和其它系統(tǒng)公司提供芯片代工服務。這些芯片可應用到3G智能手機、機頂盒、數(shù)字電視、平板電腦、汽車電子、家電、智能卡、游戲機、PC、數(shù)碼相機等各種終端市場。
 
華力微電子邏輯工藝和高壓工藝
圖2:華力微電子邏輯工藝和高壓工藝

華力微電子擁有一條12英寸集成電路生產線,設計月產能是3.5萬片,2012年底已經完成2萬片工藝設備的安裝調試,該生產線的產能還在持續(xù)擴大中。目前華力微電子的IP庫合作伙伴包括VeriSilicon、ememory和Synopsys,現(xiàn)可使用的IP庫包括55nm LP和HV工藝的9 track標準單元、55nm LP單口存儲器、55nm LP雙口SRAM、55nm LP Via ROM、55nm LP PLL(最低2.5MHz進,最大1.5GHz出,可編程設置),正在開發(fā)之中的IP庫包括:55nm LP 7 track標準單元、55nm LP高速單口SRAM、55nm LP IO、55nm HV OTP、55nm LP穩(wěn)壓器(2.5V進,1.2V出,100mA出)、55nm LP eFuse、55nm LP 1.2V Bandgap、55nm LP上電復位等。40nm LP IP庫正在開發(fā)之中。

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