【導(dǎo)讀】2021年開局至今，整個存儲行業(yè)可以用“兇猛”來形容，漲價兇猛、缺貨兇猛。受供應(yīng)鏈情況日益緊張、晶圓及封裝資源緊缺且費用大幅上漲、投產(chǎn)周期延長等因素影響，導(dǎo)致產(chǎn)品成本大幅上升，不少芯片企業(yè)紛紛發(fā)出漲價通告。
2021年開局至今，整個存儲行業(yè)可以用“兇猛”來形容，漲價兇猛、缺貨兇猛。受供應(yīng)鏈情況日益緊張、晶圓及封裝資源緊缺且費用大幅上漲、投產(chǎn)周期延長等因素影響，導(dǎo)致產(chǎn)品成本大幅上升，不少芯片企業(yè)紛紛發(fā)出漲價通告。
目前，存儲行業(yè)的高景氣度現(xiàn)象持續(xù)爆發(fā)，產(chǎn)業(yè)普遍出現(xiàn)超額下單情況，甚至競標(biāo)得晶圓產(chǎn)能等。未來，存儲市場走勢如何，持續(xù)多久，讓我們靜觀其變。
話不多說，先來一覽存儲大廠最新市場動向。
：三星在2021年仍保持相當(dāng)積極的產(chǎn)能擴張計劃，而西安的晶圓二廠便是其中重點。三星轉(zhuǎn)移到128L的過程有些延遲，但在2021年的主力仍是92L堆棧工藝。
：KIOXIA和Western Digital宣布，已經(jīng)共同開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。96L BiCS4的堆迭工藝將成為Western Digital今年制造NAND Flash的主要技術(shù)。
：SK海力士也持續(xù)積極提高NAND Flash堆棧的層數(shù)。2021年起也有望開始量產(chǎn)176L的產(chǎn)品。
：目前鎂光主要的堆棧制程仍為96L，2021上半年將加速轉(zhuǎn)移到176L；因此美光也將128L制程視為是臨時過渡期技術(shù)。
：目前KIOXIA大部分的NAND Flash產(chǎn)品仍采用96L BiCS4的制程生產(chǎn)。展望未來，KIOXIA計劃今年要提高112L BiCS5產(chǎn)品的出貨量。
：Intel計劃直接從64L制程升級到144L。此外，即使Intel仍在開發(fā)TLC產(chǎn)品，其產(chǎn)品組合也會傾向于QLC架構(gòu)。
閃存2020-2021年供給/滿足率
滿足率: 供給至Q2底仍將不足
庫存: 低于正常水位
價格趨勢: 256Gb TLC合約價至2021年底將維持上漲態(tài)勢
控制器與被動組件: 2021整年將持續(xù)短缺，臺積電刪減了更多給控制器廠商的晶圓供應(yīng)
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依應(yīng)用分析全球NAND Flash需求比重
依應(yīng)用分析2021 Q2 NAND Flash需求比重，前三名為:
Top 1：手持式裝置
Top 2：PC用SSD
Top 3：企業(yè)級SSD
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2020-2021年DDR4價格趨勢
內(nèi)存滿足率: 供不應(yīng)求
庫存: 緊張
價格趨勢: 持續(xù)上漲
由于DRAM IC供不應(yīng)求，價格自2021年Q1就開始上漲，且將持續(xù)到2021年底。
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關(guān)于工業(yè)級5G應(yīng)用
與4G相比，5G技術(shù)擁有超高傳輸速度與超低延遲的優(yōu)勢，可加速各項物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的發(fā)展，包括5G基礎(chǔ)建設(shè)（基站）、邊緣計算、云服務(wù)、AI人工智能（深度學(xué)習(xí)）、智慧工廠、車載應(yīng)用、醫(yī)療照護(hù)等領(lǐng)域。
為滿足不同5G裝置的存儲與運算需求，威剛提供一系列規(guī)格完整的工業(yè)級Flash存儲產(chǎn)品（SSD、DOM、記憶卡、嵌入式存儲卡），以及DDR4內(nèi)存。
除了性能優(yōu)異，還支持多項技術(shù)，如威剛獨家開發(fā)的A+SLC技術(shù)、PLP（斷電保護(hù)）、抗硫化、耐寬溫（-40ºC至85ºC），確保產(chǎn)品耐用性及傳輸穩(wěn)定性。
此外，威剛還有專業(yè)的軟件與固件研發(fā)團隊，能根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制化服務(wù)，量身打造理想的解決方案。
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5G應(yīng)用 – 閃存解決方案推薦
閃存重點技術(shù)
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威剛閃存解決方案
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5G應(yīng)用 – 內(nèi)存解決方案推薦
內(nèi)存重點技術(shù)
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威剛內(nèi)存解決方案
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