產(chǎn)品特性：
- 專用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)
- 出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)
- FDMC8200高側(cè)RDS(ON) 通常為24mOhm，低側(cè)則為9.5mOhm
市場(chǎng)數(shù)據(jù)：
- 筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，帶來(lái)更高效率。FDMC8200高側(cè)RDS(ON) 通常為24mOhm，低側(cè)則為9.5mOhm，可提供9A以上電流供主流計(jì)算應(yīng)用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來(lái)便利，并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
FDMC8200通過先進(jìn)的封裝技術(shù)和專有PowerTrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決DC-DC應(yīng)用的主要設(shè)計(jì)難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。
這款雙MOSFET器件是飛兆半導(dǎo)體廣泛的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現(xiàn)代化的封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高效的功率管理和低熱阻的特點(diǎn)。同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件，同樣能夠顯著減少電路板空間，并提升同步降壓設(shè)計(jì)以達(dá)到更高的轉(zhuǎn)換效率。
