中南覆鸥人力资源有限公司

你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

耗盡型模擬開關(guān):無電源也能高性能連接

發(fā)布時間:2021-05-01 來源:Shawn Barden 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】耗盡型MOSFET開關(guān),一度不那么受歡迎,且常被視為典型的增強(qiáng)型FET的同屬,卻在最近幾年中越來越受歡迎。安森美半導(dǎo)體投入該技術(shù),開發(fā)出越來越多的耗盡型模擬開關(guān)系列。這些開關(guān)越來越多地用于很好地解決工程問題。此博客將使讀者更好地了解這些實(shí)用的器件的能力,并介紹方案示例。
 
簡介
 
增強(qiáng)型FET用于當(dāng)今絕大多數(shù)電子產(chǎn)品中,工作模式基于簡單的概念??紤]到增強(qiáng)型NFET采用共源極結(jié)構(gòu)(圖1,左)-當(dāng)門極與源在相同的電勢,漏源極之間的溝道電阻很高,我們認(rèn)為晶體管是‘關(guān)斷’的。這些FET需要一個正的門極到源電壓,以導(dǎo)通溝道,并在漏源極之間傳導(dǎo)。當(dāng)沒有完全飽和時,這些FET的溝道電阻會有很大的變化。這可能導(dǎo)致模擬信號的問題,需要在整個信號幅度范圍的低失真。此外,當(dāng)采用增強(qiáng)型FET的模擬開關(guān)失去電源時,其狀態(tài)是不確定的;它不會很好地傳導(dǎo),很可能也不會很好地隔離信號。
 
耗盡型模擬開關(guān):無電源也能高性能連接
圖1:增強(qiáng)型對比耗盡型MOSFET
 
耗盡型FET與增強(qiáng)型FET互為補(bǔ)足:對于采用相同結(jié)構(gòu)的耗盡型NFET(圖1,右),溝道電阻較低,并且溝道被認(rèn)為是“導(dǎo)通”的。因此,在默認(rèn)的無電源狀態(tài)下,耗盡FET是傳導(dǎo)的,且由于它們的設(shè)計(jì),其溝道電阻是線性的,這使得它們在整個信號幅度范圍具有極低的失真。
 
基于耗盡型FET的模擬開關(guān)通常有控制電路,以便在器件上電時啟用或禁用開關(guān)路徑。該控制電路使用電荷泵產(chǎn)生隔離開關(guān)路徑所需的電壓。因此,禁用(隔離)開關(guān)路徑會耗電。對于信號隔離時間相對較短的應(yīng)用來說,這通常不是問題。否則,選擇一個電荷泵耗電低的器件是很重要的。
 
雖然許多硅供應(yīng)商吹噓他們的耗盡型方案為默認(rèn)的“導(dǎo)通”,但其器件的電阻并不是完全線性的,導(dǎo)致信號失真或電阻率不一致。安森美半導(dǎo)體開發(fā)了專有的耗盡型FET,配合專利的設(shè)計(jì)技術(shù),以在無電源時失真較低。 
 
解決降噪耳機(jī)電池電量耗盡的問題
 
當(dāng)降噪耳機(jī)首次被廣泛使用時,使用它們的好處顯而易見。人們終于可以忍受那些漫長而嘈雜的飛機(jī)旅行了;在背景噪音的嗡嗡聲中,聽著那首最受歡迎的古典音樂,從普通的體驗(yàn)變成了沉浸式的體驗(yàn)。但是,這些耳機(jī)需要電池才能消除噪音,當(dāng)電池耗盡時,耳機(jī)就沒用了。有些設(shè)計(jì)試圖克服這一點(diǎn),通常是通過機(jī)械旁路開關(guān),但這些方案總是需要用戶親自動手。
 
考慮FSA553:當(dāng)供電時,這負(fù)擺幅、雙通道SPST耗盡型模擬開關(guān)與降噪的DSP并聯(lián),支持設(shè)計(jì)人員通過耳機(jī)中降噪的DSP傳送立體聲音頻,同時電池進(jìn)行充電。當(dāng)電池電壓降到對DSP太低時,對DSP和FSA553的電壓供應(yīng)就會禁用。在這種狀態(tài)下,音頻信號繞過DSP并通過FSA553路由到耳機(jī),從而創(chuàng)建改進(jìn)的用戶體驗(yàn),其中音頻聆聽體驗(yàn)在電池放電時自動繼續(xù)。FSA553的0.4歐姆(典型值)低信道電阻和-104 dBV (非A加權(quán))超低總諧波失真加噪聲(THD+N)的提供低損耗和實(shí)際無失真的立體音頻旁路。
 
采用USB Type C移動設(shè)備附件可省電
 
考慮通過USB Type C將移動設(shè)備連接到受電附件的應(yīng)用。一旦附件通過VCONN連接并通電,附件中仍有電流流過接地的Ra電阻(圖2)。對于5V的VCONN和1千歐姆的Ra,提供5mA DC電流,這無需從移動設(shè)備獲取。然而,對于使用微控制器或類似器件的附件,附件器件上的單通道SPST耗盡型模擬開關(guān)如FSA515與Ra電阻器串聯(lián)可提供能力以在完成USB Type C檢測之后隔離Ra電阻器接地路徑。
 
耗盡型模擬開關(guān):無電源也能高性能連接
圖2:Type-C附件在檢測后有電流流過Ra電阻
 
通過在附件控制器上使用GPIO和一些固件編碼以在成功檢測后對FSA515的VDD引腳供電(圖3),在連接時,所增加的電流消耗可從5mA減小到僅約30uA,節(jié)省了近25mW的功率。此外,F(xiàn)SA515的超小占位減少了所增加的方案面積到2,包括分立器件。
 
耗盡型模擬開關(guān):無電源也能高性能連接
圖3:Type-C附件在檢測后隔離Ra電阻
 
機(jī)會
 
耗盡型模擬開關(guān)具有多種用途,并特別適用于在沒有電源的情況下傳導(dǎo)高保真信號。這使得它們常用作旁路開關(guān),可在需要時用作在電源下隔離的低功率默認(rèn)路徑,或者作為在講究省電應(yīng)用中降低損耗的設(shè)計(jì)靈活的方案。隨著設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向更低的損耗和增加的復(fù)雜性,耗盡型模擬開關(guān)成為在低功率產(chǎn)品中路由高保真模擬信號的越來越有用的工具。
 
 
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
 
推薦閱讀:

負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)與靜態(tài)電流有何關(guān)系?
連續(xù)血糖監(jiān)測(CGM)技術(shù)的個人影響
CTSD精密ADC — 第2部分:為信號鏈設(shè)計(jì)人員介紹CTSD架構(gòu)
太陽能發(fā)電需要碳化硅
如何提高LLC轉(zhuǎn)換器的功率密度?
要采購開關(guān)么,點(diǎn)這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

施甸县| 敦煌市| 肥城市| 平南县| 保康县| 定远县| 开鲁县| 泸定县| 云和县| 新源县| 德州市| 庆阳市| 衡阳县| 城口县| 青田县| 中山市| 泽普县| 淮南市| 武宣县| 镇雄县| 德令哈市| 海门市| 开阳县| 新余市| 子长县| 朝阳县| 东山县| 察雅县| 潢川县| 友谊县| 新闻| 宜兰县| 栾川县| 永昌县| 安阳县| 阿瓦提县| 丰都县| 鄂伦春自治旗| 长治县| 太仆寺旗| 梁山县|