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在發(fā)送信號(hào)鏈設(shè)計(jì)中使用差分轉(zhuǎn)單端射頻放大器的優(yōu)勢(shì)

發(fā)布時(shí)間:2024-11-19 來(lái)源:德州儀器 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】傳統(tǒng)的射頻 (RF) 發(fā)送信號(hào)鏈通常使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 來(lái)生成基帶信號(hào)。然后,使用射頻混頻器和本地振蕩器將此信號(hào)上變頻為所需的射頻頻率。射頻 DAC 技術(shù)取得進(jìn)步,現(xiàn)在允許直接以所需的射頻頻率生成信號(hào),從而顯著簡(jiǎn)化射頻發(fā)送信號(hào)鏈的設(shè)計(jì)和復(fù)雜性。


傳統(tǒng)的射頻 (RF) 發(fā)送信號(hào)鏈通常使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 來(lái)生成基帶信號(hào)。然后,使用射頻混頻器和本地振蕩器將此信號(hào)上變頻為所需的射頻頻率。射頻 DAC 技術(shù)取得進(jìn)步,現(xiàn)在允許直接以所需的射頻頻率生成信號(hào),從而顯著簡(jiǎn)化射頻發(fā)送信號(hào)鏈的設(shè)計(jì)和復(fù)雜性。

高頻射頻 DAC 具有平衡差分輸出,而射頻發(fā)送鏈和天線為單端。過(guò)去,射頻工程師使用兩種器件(即無(wú)源平衡-非平衡變壓器和中間級(jí)射頻增益塊)來(lái)執(zhí)行差分至單端 (D2S) 轉(zhuǎn)換并提高射頻信號(hào)的功率。但是,無(wú)源平衡-非平衡變壓器具有多種局限性,包括印刷電路板 (PCB) 尺寸大、插入損耗高、匹配不良、增益以及需要在寬帶寬范圍內(nèi)運(yùn)行時(shí)相位不平衡。此外,射頻無(wú)源平衡-非平衡變壓器也無(wú)法支持直流或近直流運(yùn)行。

D2S 射頻放大器是一款單片器件,能夠?qū)⒉罘中盘?hào)轉(zhuǎn)換為單端信號(hào),并在寬帶寬范圍內(nèi)提供增益。本文概述了使用 D2S 射頻放大器相對(duì)于傳統(tǒng)無(wú)源平衡-非平衡變壓器和射頻增益塊方法的優(yōu)勢(shì)。

圖 1展示了用作 DAC 緩沖器和功率放大器 (PA) 前置驅(qū)動(dòng)器的TRF1108 D2S 射頻放大器。


在發(fā)送信號(hào)鏈設(shè)計(jì)中使用差分轉(zhuǎn)單端射頻放大器的優(yōu)勢(shì)圖 1:簡(jiǎn)化的射頻發(fā)送器信號(hào)鏈,其中顯示了用作 DAC 緩沖器和 PA 前置驅(qū)動(dòng)器的 TRF1108 差分轉(zhuǎn)單端射頻放大器


4mm2 封裝內(nèi)的差分至單端轉(zhuǎn)換和增益

在射頻 DAC 輸出端執(zhí)行 D2S 轉(zhuǎn)換的無(wú)源平衡-非平衡變壓器通常體積龐大且成本高昂,尤其是在需要寬帶時(shí)。無(wú)源平衡-非平衡變壓器的大尺寸增加了 PCB 面積,并導(dǎo)致 PCB 布線較長(zhǎng),從而限制了射頻性能,尤其是在與多通道射頻 DAC 配合使用時(shí)。此外,寬帶無(wú)源平衡-非平衡變壓器還具有高插入損耗,因此需要高性能射頻增益塊來(lái)補(bǔ)償信號(hào)功率損耗。

TRF1108 D2S 射頻放大器是一款執(zhí)行 D2S 轉(zhuǎn)換并提供增益的單片器件。D2S 射頻放大器的帶寬涵蓋直流至 12GHz 的范圍,可用于從直流到數(shù)千兆赫茲的寬帶 DAC 緩沖器應(yīng)用。TRF1108 具有僅 2mm x 2mm 的微型 PCB 尺寸,可減小 PCB 面積,從而縮短布線,并提高射頻性能。

圖 2所示為 TRF1108 的 2mm x 2mm PCB 尺寸,減小了所需的 PCB 面積,從而在 TRF1108 DAC39RF10 評(píng)估模塊上縮短了布線并提高了射頻性能。


在發(fā)送信號(hào)鏈設(shè)計(jì)中使用差分轉(zhuǎn)單端射頻放大器的優(yōu)勢(shì)圖 2:TRF1108 DAC39RF10 評(píng)估模塊 (TRF1108-DAC39RFEVM)


高密度用例示例

雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員根據(jù)所需的距離、分辨率和天線尺寸選擇工作頻率。具有寬帶寬覆蓋范圍的射頻 DAC 與 D2S 射頻放大器相結(jié)合,只需對(duì)射頻發(fā)送信號(hào)鏈進(jìn)行極小的更改,即可針對(duì)不同頻帶應(yīng)用進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)重用。

將射頻 DAC 和 D2S 射頻放大器相結(jié)合,能夠?yàn)椴捎脭?shù)字波束形成的高密度相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)。在這些應(yīng)用中,多個(gè) DAC 輸出連接到大量天線,每根天線相對(duì)于彼此發(fā)送一個(gè)相移射頻信號(hào)。多通道射頻采樣 DAC 和收發(fā)器在單個(gè)裸片和封裝內(nèi)集成了多個(gè) DAC。這種集成有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)、縮小硬件尺寸并降低復(fù)雜性。但是,需要使用一個(gè)小型高性能 D2S 射頻放大器才能有效利用由這些多通道射頻 DAC 實(shí)現(xiàn)的盡可能高的密度。

匹配的輸入和輸出

過(guò)去與射頻 DAC 配合使用的寬帶無(wú)源平衡-非平衡變壓器很難保持良好的輸入和輸出回波損耗,而且回波損耗也對(duì)輸入和輸出終端阻抗敏感。這種敏感性會(huì)導(dǎo)致相關(guān)射頻頻帶范圍內(nèi)的阻抗變化,從而使發(fā)送的信號(hào)產(chǎn)生不必要的增益變化。TRF1108 的差分輸入具有 100Ω 的阻抗匹配。TRF1108 的單端輸出具有 50Ω 的寬帶匹配,從而改善回波損耗,并在寬射頻帶寬范圍內(nèi)產(chǎn)生非常平坦的通帶響應(yīng)(請(qǐng)參閱圖 3)。

圖 4突出顯示了TRF1108與射頻 DAC 結(jié)合使用時(shí)匹配輸入和輸出如何在 100MHz 至 8GHz 范圍內(nèi)產(chǎn)生平坦的通帶響應(yīng)。


在發(fā)送信號(hào)鏈設(shè)計(jì)中使用差分轉(zhuǎn)單端射頻放大器的優(yōu)勢(shì)圖3:史密斯圓圖上的 TRF1108 輸入和輸出 S 參數(shù)

在發(fā)送信號(hào)鏈設(shè)計(jì)中使用差分轉(zhuǎn)單端射頻放大器的優(yōu)勢(shì)圖 4:TRF1108 DAC39RF10 在 100MHz 至 8GHz 范圍內(nèi)的頻率響應(yīng)


性能優(yōu)化

寬帶無(wú)源射頻平衡-非平衡變壓器具有高插入損耗,因此會(huì)降低射頻 DAC 的最大信號(hào)功率電平。為了補(bǔ)償插入損耗并提高射頻信號(hào)的功率電平,在無(wú)源平衡-非平衡變壓器之后需要一個(gè)單端高性能射頻增益塊。單端射頻增益塊的二階非線性性能通常較差,當(dāng)信號(hào)帶寬涵蓋多倍頻程時(shí),無(wú)法濾除產(chǎn)生的失真。此外,寬帶平衡-非平衡變壓器較差的增益和相位不平衡也會(huì)導(dǎo)致進(jìn)一步的不平衡,從而降低射頻信號(hào)的二階非線性性能。

TRF1108等 D2S 射頻放大器采用了反饋技術(shù),有助于提高增益和相位不平衡性能。與單端射頻增益塊相比,輸入的差分特性可改善二階失真。TRF1108 D2S 射頻放大器為多倍頻程射頻發(fā)送應(yīng)用提供了改進(jìn)的二階非線性性能。

結(jié)語(yǔ)

射頻 DAC 的技術(shù)進(jìn)步使得雷達(dá)、軟件定義無(wú)線電以及射頻測(cè)試和測(cè)量設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了靈活的寬帶射頻應(yīng)用。通過(guò)在多通道 DAC 和射頻采樣收發(fā)器中集成多個(gè)射頻 DAC,簡(jiǎn)化了發(fā)送信號(hào)鏈設(shè)計(jì),并減少了在多發(fā)送射頻和相控陣應(yīng)用中對(duì)大面積 PCB 的需求。

像TRF1108這樣的 D2S 射頻放大器可以提供直流至 12GHz 范圍的射頻信號(hào)帶寬。它們可以補(bǔ)償射頻 DAC 的寬射頻帶寬和性能。TRF1108 是一款單芯片 D2S 射頻放大器,改進(jìn)了傳統(tǒng)無(wú)源平衡-非平衡變壓器和射頻增益塊。它的 PCB 面積更小,射頻布線長(zhǎng)度更短,匹配更好,性能更強(qiáng)。因此,可以實(shí)現(xiàn)更高的密度、更好的性能和靈活的射頻發(fā)送設(shè)計(jì)。

其他資源

有關(guān) D2S 射頻放大器的更多技術(shù)信息,請(qǐng)查看應(yīng)用手冊(cè)《TRF1208/TRF1108 具有 Xilinx RFSoC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的有源平衡-非平衡變壓器接口》。

閱讀我們的模擬設(shè)計(jì)期刊文章“平衡-非平衡變壓器對(duì)于射頻 DAC 二次諧波的影響”。

在 TI.com 上訂購(gòu)TRF1108EVM并立即開始使用。

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德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)是一家全球性的半導(dǎo)體公司,致力于設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和銷售模擬和嵌入式處理芯片,用于工業(yè)、汽車、個(gè)人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和企業(yè)系統(tǒng)等市場(chǎng)。我們致力于通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟(jì)實(shí)用,創(chuàng)造一個(gè)更美好的世界。如今,每一代創(chuàng)新都建立在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)之上,使我們的技術(shù)變得更小巧、更快速、更可靠、更實(shí)惠,從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,這就是工程的進(jìn)步。這正是我們數(shù)十年來(lái)乃至現(xiàn)在一直在做的事。


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